在对比 中最佳的 10 个内存
内存 (1 - 5)
| 最低价格 |
| Team Group Xtreem DDR5-8000 32GB (2x16GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-3600 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3200 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3800 CL14 16GB (2x8GB) | Team Group Xtreem DDR5-7600 32GB (2x16GB) | Gigabyte Designare DDR4-3200 64GB (2x32GB) | Team Group T-Create Expert DDR5-6000 CL30 32GB (2x16GB) | |
| 图片 |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |
| 最低价格 | ||||||||||
| 最低价格 | ||||||||||
| 性能 | ||||||||||
| 真实延迟真实延迟是绝佳的内存性能指标。其计算依据是 CAS 延迟（CL）与传输速率。 | ||||||||||
| 真实延迟真实延迟是绝佳的内存性能指标。其计算依据是 CAS 延迟（CL）与传输速率。 | 9.5 ns | 8.89 ns | 7 ns | 7.78 ns | 8.75 ns | 7 ns | 7.37 ns | 9.47 ns | 10 ns | 10 ns |
| CAS Latency (CL)CAS Latency（CL）内存时序。 | ||||||||||
| CAS Latency (CL)CAS Latency（CL）内存时序。 | 38 | 16 | 14 | 14 | 14 | 14 | 14 | 36 | 16 | 30 |
| TRAS 时序tRAS（Row Active Time）内存时序。 | ||||||||||
| TRAS 时序tRAS（Row Active Time）内存时序。 | 48 | 39 | 35 | 34 | 34 | 35 | 36 | 54 | 38 | 76 |
| TRCD 时序tRCD（Row Column Delay）内存时序 | ||||||||||
| TRCD 时序tRCD（Row Column Delay）内存时序 | 24 | 19 | 15 | 14 | 14 | 15 | 16 | 36 | 18 | 36 |
| TRP 时序tRP（Row Precharge Time）内存时序。 | ||||||||||
| TRP 时序tRP（Row Precharge Time）内存时序。 | 24 | 19 | 15 | 14 | 14 | 15 | 16 | 36 | 18 | 36 |
| “性能”总分 | ||||||||||
| “性能”总分 | ||||||||||
| 一般资讯 | ||||||||||
| 形状系数您应该始终确保为您的系统购买正确的内存。常见的形状系数包括用于 PC 的 288 针 DIMM 和用于笔记本电脑的 260 针 SO-DIMM。 | ||||||||||
| 形状系数您应该始终确保为您的系统购买正确的内存。常见的形状系数包括用于 PC 的 288 针 DIMM 和用于笔记本电脑的 260 针 SO-DIMM。 | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM |
| 内存大小（总）内存的总大小，考虑单个模块的大小和套件中的模块数量。 | ||||||||||
| 内存大小（总）内存的总大小，考虑单个模块的大小和套件中的模块数量。 | 2 x 16GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 16GB | 2 x 32GB | 2 x 16GB |
| Samsung B-Die三星 B-Die 是一种特定类型的裸片（芯片），可用于一些内存产品。许多人青睐此类内存，因为其可在 3200MHz 或更高频率下运行，同时还能保持较低的 CAS 延迟（CL 14）。这些性能优势在与 AMD Ryzen CPU 搭配使用时将发挥得最为明显。 | ||||||||||
| Samsung B-Die三星 B-Die 是一种特定类型的裸片（芯片），可用于一些内存产品。许多人青睐此类内存，因为其可在 3200MHz 或更高频率下运行，同时还能保持较低的 CAS 延迟（CL 14）。这些性能优势在与 AMD Ryzen CPU 搭配使用时将发挥得最为明显。 | ✖ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✖ | ✖ | ✖ |
| 电压内存电压。 | ||||||||||
| 电压内存电压。 | 1.45V | 1.35V | 1.55V | 1.45V | 1.35V | 1.55V | 1.5V | 1.4V | 1.2V | 1.1V |
| 内存大小单个内存模块的大小。 | ||||||||||
| 内存大小单个内存模块的大小。 | 16GB | 8GB | 8GB | 8GB | 8GB | 8GB | 8GB | 16GB | 32GB | 16GB |
| “一般资讯”总分 | ||||||||||
| “一般资讯”总分 | ||||||||||
| 功能 | ||||||||||
| Intel XMP / AMD EXPOIntel XMP（Intel Extreme Memory Profile）与 AMD EXPO（AMD Extended Profiles for Overclocking）是一种允许您通过启用 BIOS 中的选项即可轻松实现内存超频的功能。 | ||||||||||
| Intel XMP / AMD EXPOIntel XMP（Intel Extreme Memory Profile）与 AMD EXPO（AMD Extended Profiles for Overclocking）是一种允许您通过启用 BIOS 中的选项即可轻松实现内存超频的功能。 | Intel XMP 3.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 3.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 3.0 |
| ECC 内存支持纠错码存储器可以识别和改正数据损坏。在进行科学运算、或者在运行服务器时，通过使用纠错码存储器可以避免数据损坏。 | ||||||||||
| ECC 内存支持纠错码存储器可以识别和改正数据损坏。在进行科学运算、或者在运行服务器时，通过使用纠错码存储器可以避免数据损坏。 | ✔ | ✖ | ✖ | ✖ | ✖ | ✖ | ✖ | ✔ | ✔ | ✔ |
| 集成式散热片热量可能会对性能造成影响并导致读/写速度降低。集成式散热片（或散热器）有助于冷却组件，确保其以最高效率运行。 | ||||||||||
| 集成式散热片热量可能会对性能造成影响并导致读/写速度降低。集成式散热片（或散热器）有助于冷却组件，确保其以最高效率运行。 | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
| RGB 灯RGB 灯功能可让您从几百万种颜色中挑选，从而自定义 PC 组件的外观。 | ||||||||||
| RGB 灯RGB 灯功能可让您从几百万种颜色中挑选，从而自定义 PC 组件的外观。 | ✖ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✖ | ✖ | ✖ |
| “功能”总分 | ||||||||||
| “功能”总分 | ||||||||||
| 基准 | ||||||||||
| PassMark 结果（延迟）PassMark 基准会对与内存性能有关的几个因素进行测试。延迟测试衡量的是内存中的一个字节传输至 CPU 的速度，数值越低表示性能越好。来源：PassMark。 | ||||||||||
| PassMark 结果（延迟）PassMark 基准会对与内存性能有关的几个因素进行测试。延迟测试衡量的是内存中的一个字节传输至 CPU 的速度，数值越低表示性能越好。来源：PassMark。 | N.A. | 31ns | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| PassMark 结果（未缓存数据读取）PassMark 基准会对与内存性能有关的几个因素进行测试。为缓存数据读取测试衡量的是读取大块内存的速度，数值越高表明性能越好。来源：PassMark。 | ||||||||||
| PassMark 结果（未缓存数据读取）PassMark 基准会对与内存性能有关的几个因素进行测试。为缓存数据读取测试衡量的是读取大块内存的速度，数值越高表明性能越好。来源：PassMark。 | N.A. | 20.9GB/s | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| PassMark 结果（写入）PassMark 基准会对与内存性能有关的几个因素进行测试。写入测试衡量的是内存块的写入速度，数值越高表示性能越好。来源：PassMark。 | ||||||||||
| PassMark 结果（写入）PassMark 基准会对与内存性能有关的几个因素进行测试。写入测试衡量的是内存块的写入速度，数值越高表示性能越好。来源：PassMark。 | N.A. | 16.9GB/s | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| UserBenchmark 结果（平均 %）UserBenchMark 的平均基准结果，基于多核吞吐量、单核吞吐量以及延迟。来源：UserBenchmark。 | ||||||||||
| UserBenchmark 结果（平均 %）UserBenchMark 的平均基准结果，基于多核吞吐量、单核吞吐量以及延迟。来源：UserBenchmark。 | N.A. | 97.8% | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| “基准”总分 | ||||||||||
| “基准”总分 | ||||||||||
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