100points

G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)

66points

PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)

Gagnant du comparatif
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
vs
vs

22 caractéristiques en comparaison

G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB) vs PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)

G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)

Pourquoi G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB) est meilleur(e) que PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)?

  • Possède Samsung B-Die
    ?
  • Latence réelle 1.11 ns plus rapide
    ?

    8.89 nsvs10 ns
  • 3 timing tRAS
    ?

    39vs42
  • CAS Latency (CL) 2 plus basse
    ?

    16vs18
  • 3 timing tRCD
    ?

    19vs22
  • 3 timing tRP
    ?

    19vs22

Pourquoi PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB) est meilleur(e) que G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)?

  • Fréquence de mémoire vive (SPD) 533 MHz plus rapide
    ?

    2666 MHzvs2133 MHz
  • Taille de la mémoire (totale) 16GB plus grande
    ?

    2 x 16GBvs2 x 8GB
  • Mémoire 8GB plus grande
    ?

    16GBvs8GB

Quels sont les comparatifs les plus populaires?

Alternatives à bas prix

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Performance

latence réelle

8.89 ns

10 ns

La latence réelle est un bon indicateur de performance de la mémoire. Elle est calculée à partir de la latence CAS et du débit.
La fréquence de la mémoire vive, telle que communiquée par le fabricant. Aussi connue sous le nom de vitesse testée. Remarque : il faut que le CPU/la carte mère soit en mesure de prendre en charge la vitesse, et cela peut également nécessiter l'activation de profils XMP.
Le SPD de la RAM. Il s'agit de la vitesse à laquelle la mémoire vive fonctionne par défaut, sans modification des paramètres du BIOS ni overclocking, etc.
La mémoire DDR (Double Data Rate en anglais) est le type de RAM le plus commun. Les versions les plus récentes de mémoire DDR prennent en charge des vitesses maximales plus élevées et sont moins énergivores.
Le timing de mémoire latence CAS.
Le timing de mémoire tRAS (Row Active Time).
Le timing de mémoire tRCD (Row Column Delay).
Le timing de mémoire tRP (Row Precharge Time).

Infos générales

facteur d'encombrement

288-pin DIMM

288-pin DIMM

Tu dois toujours t'assurer d'acheter la bonne mémoire pour ton système. Les facteurs d'encombrement courants incluent le DIMM 288 broches pour les PCs et le SO-DIMM 260 broches pour les ordinateurs portables.
La taille totale de la mémoire, en prenant en compte la taille d'un seul module et le nombre de modules dans le kit.
possède Samsung B-Die
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
Samsung B-Die est un type spécifique de puce utilisé dans certains produits de mémoire. Beaucoup de personnes préfèrent ce type de mémoire car il peut fonctionner sur des vitesses de 32000MHz ou plus, tout en maintenant la latence CAS faible (CL 14). Ces bénéfices de performance sont encore plus remarquables en association avec les processeurs AMD Ryzen.
tension

1.35V

1.35V

La tension de la mémoire.
hauteur

43 mm

42 mm

La hauteur représente la dimension verticale du produit.
La taille d'un seul module de mémoire.

Fonctionnalités

Intel XMP / AMD EXPO

Intel XMP 2.0

Intel XMP 2.0

Intel XMP (Intel Extreme Memory Profile) et AMD EXPO (AMD Extended Profiles for Overclocking) sont des fonctionnalités qui te permettent d'overclocker facilement la mémoire, simplement en activant l'option dans le BIOS.
Supporte la mémoire ECC
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
La mémoire ECC peut détecter et corriger l'altération de données. Son utilisation devient indispensable lorsqu'il est essentiel d'éviter l'altération, lors d'un calcul scientifique ou d'une gestion de serveur, par exemple.
Possède un radiateur intégré
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
La chaleur peut impacter les performances et réduire la vitesse de lecture/écriture annoncée. Un radiateur (ou un dissipateur de chaleur) intégré permet de maintenir le composant à une température faible et ainsi d'obtenir les meilleures performances possibles.
possède un éclairage RGB
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
Un éclairage RGB te permet de choisir parmi des millions de couleur et personnaliser l'apparence des composants de ton PC.

Benchmarks

résultat PassMark (latence)

31ns

Inconnu. Aide-nous en suggérant une valeur. (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))

Le benchmark PassMark teste différents facteurs liés à la performance de la mémoire. Le test de latence mesure la vitesse à laquelle un octet de mémoire est transféré au CPU, avec des valeurs basses reflétant des performances plus rapides. Source : PassMark .
résultat PassMark (lecture non mise en cache)

20.9GB/s

Inconnu. Aide-nous en suggérant une valeur. (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))

Le benchmark PassMark teste différents facteurs liés à la performance de la mémoire. Le test de lecture non mise en cache mesure la vitesse à laquelle un gros bloc de mémoire peut être lu, avec des valeurs hautes reflétant des performances plus rapides. Source : PassMark.
Résultat PassMark (écriture)

16.9GB/s

Inconnu. Aide-nous en suggérant une valeur. (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))

Le benchmark PassMark teste différents facteurs liés à la performance de la mémoire. Le test d'écriture mesure la vitesse à laquelle un bloc de mémoire peut être écrit, avec des valeurs hautes reflétant des performances plus rapides. Source : PassMark.
résultat UserBenchmark (moyenne %)

97.8%

Inconnu. Aide-nous en suggérant une valeur. (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))

Le résultat moyen du benchmark UserBenchMark, se basant sur le débit multi-cœur, le débit uni-cœur et la latence. Source : UserBenchmark.

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