G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB): test, caractéristiques et prix
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
Pourquoi G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB) est au-dessus de la moyenne?
- Latence réelle?
8.89 nsvs11.7 ns - Timing tRAS?
39vs58.52 - CAS Latency (CL)?
16vs26.89 - Timing tRCD?
19vs29.6 - Timing tRP?
19vs29.61 - Résultat PassMark (latence)?
31nsvs35.79ns - Résultat PassMark (lecture non mise en cache)?
20.9GB/svs18.99GB/s - Résultat PassMark (écriture)?
16.9GB/svs15.58GB/s
Quels sont les comparatifs les plus populaires?
Comparaison de prix
G.SKILL Trident Z Neo Series (Intel XMP) DDR4 RAM 16GB (2x8GB) 3600MT/s CL16-19-19-39 1.35V Desktop Compu...G.SKILL Trident Z Neo Series (Intel XMP) DDR4 RAM 16GB (2x8GB) 3600MT/s CL16-19-19-39 1.35V Desktop Computer Memory UDIMM (F4-3600C16D-16GTZNC)
Avis d'utilisateurs
Performance
latence réelle
8.89 ns
La latence réelle est un bon indicateur de performance de la mémoire. Elle est calculée à partir de la latence CAS et du débit.
La fréquence de la mémoire vive, telle que communiquée par le fabricant. Aussi connue sous le nom de vitesse testée. Remarque : il faut que le CPU/la carte mère soit en mesure de prendre en charge la vitesse, et cela peut également nécessiter l'activation de profils XMP.
fréquence de mémoire vive (SPD)
2133 MHz
Le SPD de la RAM. Il s'agit de la vitesse à laquelle la mémoire vive fonctionne par défaut, sans modification des paramètres du BIOS ni overclocking, etc.
La mémoire DDR (Double Data Rate en anglais) est le type de RAM le plus commun. Les versions les plus récentes de mémoire DDR prennent en charge des vitesses maximales plus élevées et sont moins énergivores.
Le timing de mémoire latence CAS.
Le timing de mémoire tRAS (Row Active Time).
Le timing de mémoire tRCD (Row Column Delay).
Le timing de mémoire tRP (Row Precharge Time).
Infos générales
facteur d'encombrement
288-pin DIMM
Tu dois toujours t'assurer d'acheter la bonne mémoire pour ton système. Les facteurs d'encombrement courants incluent le DIMM 288 broches pour les PCs et le SO-DIMM 260 broches pour les ordinateurs portables.
La taille totale de la mémoire, en prenant en compte la taille d'un seul module et le nombre de modules dans le kit.
possède Samsung B-Die
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
Samsung B-Die est un type spécifique de puce utilisé dans certains produits de mémoire. Beaucoup de personnes préfèrent ce type de mémoire car il peut fonctionner sur des vitesses de 32000MHz ou plus, tout en maintenant la latence CAS faible (CL 14). Ces bénéfices de performance sont encore plus remarquables en association avec les processeurs AMD Ryzen.
tension
1.35V
La tension de la mémoire.
hauteur
43 mm
La hauteur représente la dimension verticale du produit.
La taille d'un seul module de mémoire.
Fonctionnalités
Intel XMP / AMD EXPO
Intel XMP 2.0
Intel XMP (Intel Extreme Memory Profile) et AMD EXPO (AMD Extended Profiles for Overclocking) sont des fonctionnalités qui te permettent d'overclocker facilement la mémoire, simplement en activant l'option dans le BIOS.
Supporte la mémoire ECC
✖G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
La mémoire ECC peut détecter et corriger l'altération de données. Son utilisation devient indispensable lorsqu'il est essentiel d'éviter l'altération, lors d'un calcul scientifique ou d'une gestion de serveur, par exemple.
Possède un radiateur intégré
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
La chaleur peut impacter les performances et réduire la vitesse de lecture/écriture annoncée. Un radiateur (ou un dissipateur de chaleur) intégré permet de maintenir le composant à une température faible et ainsi d'obtenir les meilleures performances possibles.
possède un éclairage RGB
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
Un éclairage RGB te permet de choisir parmi des millions de couleur et personnaliser l'apparence des composants de ton PC.
Benchmarks
Le benchmark PassMark teste différents facteurs liés à la performance de la mémoire. Le test de latence mesure la vitesse à laquelle un octet de mémoire est transféré au CPU, avec des valeurs basses reflétant des performances plus rapides. Source : PassMark .
Le benchmark PassMark teste différents facteurs liés à la performance de la mémoire. Le test de lecture non mise en cache mesure la vitesse à laquelle un gros bloc de mémoire peut être lu, avec des valeurs hautes reflétant des performances plus rapides. Source : PassMark.
Résultat PassMark (écriture)
16.9GB/s
Le benchmark PassMark teste différents facteurs liés à la performance de la mémoire. Le test d'écriture mesure la vitesse à laquelle un bloc de mémoire peut être écrit, avec des valeurs hautes reflétant des performances plus rapides. Source : PassMark.
Le résultat moyen du benchmark UserBenchMark, se basant sur le débit multi-cœur, le débit uni-cœur et la latence. Source : UserBenchmark.
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