Home > Memori > 10 memori terbaik dalam perbandingan

10 memori terbaik dalam perbandingan

Memori (1 - 5)

	Team Group Xtreem DDR5-8000 32GB (2x16GB)1	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)2	G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB)3	G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-3600 CL14 16GB (2x8GB)4	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3200 CL14 16GB (2x8GB)5	G.Skill Trident Z Neo DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB)6	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3800 CL14 16GB (2x8GB)7	Team Group Xtreem DDR5-7600 32GB (2x16GB)8	Gigabyte Designare DDR4-3200 64GB (2x32GB)9	Team Group T-Create Expert DDR5-6000 CL30 32GB (2x16GB)10

Harga terbaik

	Team Group Xtreem DDR5-8000 32GB (2x16GB)	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)	G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB)	G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-3600 CL14 16GB (2x8GB)	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3200 CL14 16GB (2x8GB)	G.Skill Trident Z Neo DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB)	G.Skill Trident Z Neo DDR4-3800 CL14 16GB (2x8GB)	Team Group Xtreem DDR5-7600 32GB (2x16GB)	Gigabyte Designare DDR4-3200 64GB (2x32GB)	Team Group T-Create Expert DDR5-6000 CL30 32GB (2x16GB)
Gambar
Harga terbaik
Harga terbaik
Kinerja
True latencyTrue latency adalah indikator kinerja memori yang baik, dihitung dari latensi CAS (CL) dan kecepatan transfer.
True latencyTrue latency adalah indikator kinerja memori yang baik, dihitung dari latensi CAS (CL) dan kecepatan transfer.	9.5 ns	8.89 ns	7 ns	7.78 ns	8.75 ns	7 ns	7.37 ns	9.47 ns	10 ns	10 ns
CAS Latency (CL)Pengaturan waktu CAS Latency (CL) dari memori.
CAS Latency (CL)Pengaturan waktu CAS Latency (CL) dari memori.	38	16	14	14	14	14	14	36	16	30
TRAS timingPengaturan waktu tRAS (Row Active Time) dari memori.
TRAS timingPengaturan waktu tRAS (Row Active Time) dari memori.	48	39	35	34	34	35	36	54	38	76
TRCD timingPengaturan waktu tRCD (Row Column Delay) dari memori.
TRCD timingPengaturan waktu tRCD (Row Column Delay) dari memori.	24	19	15	14	14	15	16	36	18	36
TRP timingPengaturan waktu tRP (Row Precharge Time) dari memori.
TRP timingPengaturan waktu tRP (Row Precharge Time) dari memori.	24	19	15	14	14	15	16	36	18	36
Skor total untuk "Kinerja"
Skor total untuk "Kinerja"
Info Umum
Form factorPastikan untuk selalu membeli memori yang tepat untuk sistem yang kamu miliki. Form factor umum termasuk DIMM 288-pin untuk PC dan SO-DIMM 260-pin untuk laptop.
Form factorPastikan untuk selalu membeli memori yang tepat untuk sistem yang kamu miliki. Form factor umum termasuk DIMM 288-pin untuk PC dan SO-DIMM 260-pin untuk laptop.	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM	288-pin DIMM
Ukuran memori (total)Ukuran total memori, dengan mempertimbangkan ukuran modul tunggal dan jumlah modul dalam kit.
Ukuran memori (total)Ukuran total memori, dengan mempertimbangkan ukuran modul tunggal dan jumlah modul dalam kit.	2 x 16GB	2 x 8GB	2 x 8GB	2 x 8GB	2 x 8GB	2 x 8GB	2 x 8GB	2 x 16GB	2 x 32GB	2 x 16GB
Samsung B-DieSamsung B-Die adalah jenis die (chip) khusus yang digunakan di beberapa produk memori. Banyak orang menyukai jenis memori ini karena dapat berjalan pada kecepatan 3200MHz atau lebih tinggi sekaligus menjaga latensi CAS tetap rendah (CL 14). Manfaat kinerja ini paling menonjol saat dipasangkan dengan CPU AMD Ryzen.
Samsung B-DieSamsung B-Die adalah jenis die (chip) khusus yang digunakan di beberapa produk memori. Banyak orang menyukai jenis memori ini karena dapat berjalan pada kecepatan 3200MHz atau lebih tinggi sekaligus menjaga latensi CAS tetap rendah (CL 14). Manfaat kinerja ini paling menonjol saat dipasangkan dengan CPU AMD Ryzen.	✖	✔	✔	✔	✔	✔	✔	✖	✖	✖
TeganganTegangan memori.
TeganganTegangan memori.	1.45V	1.35V	1.55V	1.45V	1.35V	1.55V	1.5V	1.4V	1.2V	1.1V
Ukuran memoriUkuran modul memori tunggal.
Ukuran memoriUkuran modul memori tunggal.	16GB	8GB	8GB	8GB	8GB	8GB	8GB	16GB	32GB	16GB
Skor total untuk "Info Umum"
Skor total untuk "Info Umum"
Fitur
Intel XMP / AMD EXPODengan fitur Intel XMP (Intel Extreme Memory Profile) dan AMD EXPO (AMD Extended Profiles for Overclocking), kamu bisa melakukan overclock memori dengan mudah, hanya dengan mengaktifkan opsi di BIOS.
Intel XMP / AMD EXPODengan fitur Intel XMP (Intel Extreme Memory Profile) dan AMD EXPO (AMD Extended Profiles for Overclocking), kamu bisa melakukan overclock memori dengan mudah, hanya dengan mengaktifkan opsi di BIOS.	Intel XMP 3.0	Intel XMP 2.0	Intel XMP 2.0	Intel XMP 2.0	Intel XMP 2.0	Intel XMP 2.0	Intel XMP 2.0	Intel XMP 3.0	Intel XMP 2.0	Intel XMP 3.0
Mendukung ECC memory.Memori kode perbaikan kesalahan dapat mendeteksi kerusakan data. Ini digunakan ketika sangat penting menghidari kerusakan, seperti scientific computing atau ketika menjalankan server.
Mendukung ECC memory.Memori kode perbaikan kesalahan dapat mendeteksi kerusakan data. Ini digunakan ketika sangat penting menghidari kerusakan, seperti scientific computing atau ketika menjalankan server.	✔	✖	✖	✖	✖	✖	✖	✔	✔	✔
Heatsink terintegrasiPanas dapat berdampak pada performa dan mengurangi potensi kecepatan baca/tulis. Heatsink terintegrasi (atau penyebar panas) membantu menjaga komponen tetap dingin dan beroperasi dengan efisiensi maksimum.
Heatsink terintegrasiPanas dapat berdampak pada performa dan mengurangi potensi kecepatan baca/tulis. Heatsink terintegrasi (atau penyebar panas) membantu menjaga komponen tetap dingin dan beroperasi dengan efisiensi maksimum.	✔	✔	✔	✔	✔	✔	✔	✔	✔	✔
Pencahayaan RGBDengan pencahayaan RGB, kamu bisa memilih di antara jutaan warna dan menyesuaikan tampilan komponen PC-mu.
Pencahayaan RGBDengan pencahayaan RGB, kamu bisa memilih di antara jutaan warna dan menyesuaikan tampilan komponen PC-mu.	✖	✔	✔	✔	✔	✔	✔	✖	✖	✖
Skor total untuk "Fitur"
Skor total untuk "Fitur"
Benchmark
Hasil PassMark (latensi)Benchmark PassMark menguji beberapa faktor yang terkait dengan kinerja memori. Uji latensi mengukur seberapa cepat satu byte memori ditransfer ke CPU. Nilai yang lebih rendah menunjukkan kinerja yang lebih cepat. Sumber: PassMark.
Hasil PassMark (latensi)Benchmark PassMark menguji beberapa faktor yang terkait dengan kinerja memori. Uji latensi mengukur seberapa cepat satu byte memori ditransfer ke CPU. Nilai yang lebih rendah menunjukkan kinerja yang lebih cepat. Sumber: PassMark.	N.A.	31ns	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.
Hasil PassMark (read uncached)Benchmark PassMark menguji beberapa faktor yang terkait dengan kinerja memori. Tes read uncached mengukur seberapa cepat blok memori yang besar dapat dibaca. Nilai yang lebih tinggi menunjukkan kinerja yang lebih cepat. Sumber: PassMark.
Hasil PassMark (read uncached)Benchmark PassMark menguji beberapa faktor yang terkait dengan kinerja memori. Tes read uncached mengukur seberapa cepat blok memori yang besar dapat dibaca. Nilai yang lebih tinggi menunjukkan kinerja yang lebih cepat. Sumber: PassMark.	N.A.	20.9GB/s	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.
Hasil PassMark (write)Benchmark PassMark menguji beberapa faktor yang terkait dengan kinerja memori. Tes write mengukur seberapa cepat sebuah blok memori dapat ditulis. Nilai yang lebih tinggi menunjukkan kinerja yang lebih cepat. Sumber: PassMark.
Hasil PassMark (write)Benchmark PassMark menguji beberapa faktor yang terkait dengan kinerja memori. Tes write mengukur seberapa cepat sebuah blok memori dapat ditulis. Nilai yang lebih tinggi menunjukkan kinerja yang lebih cepat. Sumber: PassMark.	N.A.	16.9GB/s	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.
Hasil UserBenchmark (rata-rata %)Hasil tolok ukur rata-rata dari UserBenchMark, berdasarkan throughput multi-core, throughput single-core, dan latensi. Sumber: UserBenchmark.
Hasil UserBenchmark (rata-rata %)Hasil tolok ukur rata-rata dari UserBenchMark, berdasarkan throughput multi-core, throughput single-core, dan latensi. Sumber: UserBenchmark.	N.A.	97.8%	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.	N.A.
Skor total untuk "Benchmark"
Skor total untuk "Benchmark"

Share with

This page is currently only available in English.