Лучшие 10 памяти в сравнении
Памяти (1 - 5)
| Лучшая цена |
| Team Group Xtreem DDR5-8000 32GB (2x16GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-3600 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3200 CL14 16GB (2x8GB) | Team Group Xtreem DDR5-7600 32GB (2x16GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB) | Gigabyte Designare DDR4-3200 64GB (2x32GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3800 CL14 16GB (2x8GB) | Team Group T-Create Expert DDR5-6000 CL30 32GB (2x16GB) | |
| Изображение |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |
| Лучшая цена | ||||||||||
| Лучшая цена | ||||||||||
| Производительность | ||||||||||
| Реальная задержкаРеальная задержка — хороший показатель производительности памяти. Он рассчитывается на основе задержки CAS (CL) и скорости передачи. | ||||||||||
| Реальная задержкаРеальная задержка — хороший показатель производительности памяти. Он рассчитывается на основе задержки CAS (CL) и скорости передачи. | 9.5 ns | 8.89 ns | 7 ns | 7.78 ns | 8.75 ns | 9.47 ns | 7 ns | 10 ns | 7.37 ns | 10 ns |
| CAS Latency (CL)CAS Latency (CL) тайминги памяти. | ||||||||||
| CAS Latency (CL)CAS Latency (CL) тайминги памяти. | 38 | 16 | 14 | 14 | 14 | 36 | 14 | 16 | 14 | 30 |
| Тайминги tRAStRAS (Row Active Time) тайминги памяти. | ||||||||||
| Тайминги tRAStRAS (Row Active Time) тайминги памяти. | 48 | 39 | 35 | 34 | 34 | 54 | 35 | 38 | 36 | 76 |
| TRCD таймингиtRCD (Row Column Delay) тайминги памяти. | ||||||||||
| TRCD таймингиtRCD (Row Column Delay) тайминги памяти. | 24 | 19 | 15 | 14 | 14 | 36 | 15 | 18 | 16 | 36 |
| TRP таймингиtRP (Row Precharge Time) тайминги памяти. | ||||||||||
| TRP таймингиtRP (Row Precharge Time) тайминги памяти. | 24 | 19 | 15 | 14 | 14 | 36 | 15 | 18 | 16 | 36 |
| Общий балл за "Производительность" | ||||||||||
| Общий балл за "Производительность" | ||||||||||
| Общая информация | ||||||||||
| Форм-факторВы всегда должны убедиться, что покупаете правильную память для вашей системы. Общие форм-факторы включают 288-pin DIMM для ПК и 260-pin SO-DIMM для ноутбуков. | ||||||||||
| Форм-факторВы всегда должны убедиться, что покупаете правильную память для вашей системы. Общие форм-факторы включают 288-pin DIMM для ПК и 260-pin SO-DIMM для ноутбуков. | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM |
| Объем памяти (всего)Общий объем памяти с учетом кол-ва памяти каждой планки в комплекте. | ||||||||||
| Объем памяти (всего)Общий объем памяти с учетом кол-ва памяти каждой планки в комплекте. | 2 x 16GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 16GB | 2 x 8GB | 2 x 32GB | 2 x 8GB | 2 x 16GB |
| Samsung B-DieSamsung B-Die — это особый тип кристалла (чипа), который используется в некоторых модулях памяти. Многие люди предпочитают этот тип памяти, поскольку он может работать на частоте 3200 МГц или выше, а также поддерживать низкую задержку CAS (CL 14). Эти преимущества производительности наиболее заметны в сочетании с процессором AMD Ryzen. | ||||||||||
| Samsung B-DieSamsung B-Die — это особый тип кристалла (чипа), который используется в некоторых модулях памяти. Многие люди предпочитают этот тип памяти, поскольку он может работать на частоте 3200 МГц или выше, а также поддерживать низкую задержку CAS (CL 14). Эти преимущества производительности наиболее заметны в сочетании с процессором AMD Ryzen. | ✖ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ |
| НапряжениеНапряжение памяти. | ||||||||||
| НапряжениеНапряжение памяти. | 1.45V | 1.35V | 1.55V | 1.45V | 1.35V | 1.4V | 1.55V | 1.2V | 1.5V | 1.1V |
| Объем памятиОбъем памяти одного модуля. | ||||||||||
| Объем памятиОбъем памяти одного модуля. | 16GB | 8GB | 8GB | 8GB | 8GB | 16GB | 8GB | 32GB | 8GB | 16GB |
| Общий балл за "Общая информация" | ||||||||||
| Общий балл за "Общая информация" | ||||||||||
| Функции | ||||||||||
| Intel XMP / AMD EXPOIntel XMP (Intel Extreme Memory Profile) и AMD EXPO (AMD Extended Profiles for Overclocking) — это функции, позволяющие легко разогнать память, просто включив соответствующий параметр в BIOS. | ||||||||||
| Intel XMP / AMD EXPOIntel XMP (Intel Extreme Memory Profile) и AMD EXPO (AMD Extended Profiles for Overclocking) — это функции, позволяющие легко разогнать память, просто включив соответствующий параметр в BIOS. | Intel XMP 3.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 3.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 3.0 |
| Поддерживает код устраения ошибок памятиКод устранения ошибок памяти может обнаружить и исправить повреждения данных. Он используется, когда это необходимо, чтобы избежать искажений, например в научных вычислениях или при запуске сервера. | ||||||||||
| Поддерживает код устраения ошибок памятиКод устранения ошибок памяти может обнаружить и исправить повреждения данных. Он используется, когда это необходимо, чтобы избежать искажений, например в научных вычислениях или при запуске сервера. | ✔ | ✖ | ✖ | ✖ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ |
| Встроенный кулерТепло может повлиять на производительность и снизить потенциальную скорость считывания/записи. Встроенный радиатор (или распределитель тепла) помогает охлаждать компонент и обеспечивает его максимальную эффективность. | ||||||||||
| Встроенный кулерТепло может повлиять на производительность и снизить потенциальную скорость считывания/записи. Встроенный радиатор (или распределитель тепла) помогает охлаждать компонент и обеспечивает его максимальную эффективность. | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
| Подсветка RGBПодсветка RGB позволяет вам выбирать между миллионами цветов и настраивать внешний вид компонентов вашего ПК. | ||||||||||
| Подсветка RGBПодсветка RGB позволяет вам выбирать между миллионами цветов и настраивать внешний вид компонентов вашего ПК. | ✖ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ |
| Общий балл за "Функции" | ||||||||||
| Общий балл за "Функции" | ||||||||||
| Геометки | ||||||||||
| Результат PassMark (задержка)Бенчмарк PassMark тестирует несколько факторов, связанных с производительностью памяти. Тест задержки измеряет, насколько быстро байт памяти передается ЦП, при этом более низкие значения указывают на более высокую производительность. Источник: PassMark. | ||||||||||
| Результат PassMark (задержка)Бенчмарк PassMark тестирует несколько факторов, связанных с производительностью памяти. Тест задержки измеряет, насколько быстро байт памяти передается ЦП, при этом более низкие значения указывают на более высокую производительность. Источник: PassMark. | N.A. | 31ns | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| Результат PassMark (read uncached)Бенчмарк PassMark тестирует несколько факторов, связанных с производительностью памяти. Тест "read uncached" измеряет, насколько быстро может быть прочитан большой блок памяти, причем более высокие значения указывают на более высокую производительность. Источник: PassMark. | ||||||||||
| Результат PassMark (read uncached)Бенчмарк PassMark тестирует несколько факторов, связанных с производительностью памяти. Тест "read uncached" измеряет, насколько быстро может быть прочитан большой блок памяти, причем более высокие значения указывают на более высокую производительность. Источник: PassMark. | N.A. | 20.9GB/s | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| Результат PassMark (запись)Бенчмарк PassMark тестирует несколько факторов, связанных с производительностью памяти. Тест записи измеряет, насколько быстро может быть записан блок памяти, причем более высокие значения указывают на более высокую производительность. Источник: PassMark. | ||||||||||
| Результат PassMark (запись)Бенчмарк PassMark тестирует несколько факторов, связанных с производительностью памяти. Тест записи измеряет, насколько быстро может быть записан блок памяти, причем более высокие значения указывают на более высокую производительность. Источник: PassMark. | N.A. | 16.9GB/s | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| Результат UserBenchmark (средний %)Средний результат теста UserBenchMark на основе многоядерной пропускной способности, одноядерной пропускной способности и задержки. Источник: UserBenchMark. | ||||||||||
| Результат UserBenchmark (средний %)Средний результат теста UserBenchMark на основе многоядерной пропускной способности, одноядерной пропускной способности и задержки. Источник: UserBenchMark. | N.A. | 97.8% | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| Общий балл за "Геометки" | ||||||||||
| Общий балл за "Геометки" | ||||||||||
Share with
This page is currently only available in English.