比較で明らかになった22つの理由
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB) vs PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)がPNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)よりも優れている理由は何ですか？
- Samsung B-Die搭載?
- 1.11 ns速い正確なレイテンシー?
8.89 nsvs10 ns - 3 tRASタイミング?
39vs42 - 2少ないCASレイテンシー (CL)?
16vs18 - 3 tRCDタイミング?
19vs22 - 3 tRPタイミング?
19vs22
PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)がG.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)よりも優れている理由は何ですか？
- 533 MHz速いメモリ速度（SPD）?
2666 MHzvs2133 MHz - 16GB多いメモリ容量（合計）?
2 x 16GBvs2 x 8GB - 8GB多いメモリ容量?
16GBvs8GB
一番人気の比較対象は？
価格比較
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
ユーザーレビュー
性能
正確なレイテンシーは、メモリパフォーマンスの良い指標です。これはCASレイテンシー（CL）と転送速度から計算されます。
メーカーが提供するメモリ速度。テスト速度とも呼ばれます。注：速度に対応できるCPU/マザーボードが必要で、XMPプロファイルを有効にする必要がある場合もあります。
メモリのSPD（シリアルプレゼンス検出） 速度。これは、BIOS設定やオーバークロックなどを変更せずに、メモリがデフォルトで実行される速度です。
DDR(ダブルデータレート)メモリはRAMで一番一般的なタイプです。新しいバージョンほど、もっと最大速度をサポートし、さらに省エネです。
メモリのCASレイテンシー (CL) タイミング。
メモリのtRAS（Row Active Time）タイミング。
メモリのtRCD（Row Column Delay) タイミング。
メモリのtRP（Row Precharge Time）タイミング。
一般情報
システムに適したメモリを必ず購入してください。一般的なフォームファクターには、PC用288-pin DIMMとノートパソコン用の260-pin SO-DIMMがあります。
ひとつのモジュールのサイズとキット内のモジュール数を考慮したメモリの合計容量。
Samsung B-Die搭載
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
✖PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
Samsung B-Die は、一部のメモリ製品で使用される特定のタイプのダイ (チップ) です。このタイプのメモリは3200MHz以上の速度で作動し、CASレイテンシーも低く（CL 14）保つので、多くの人に好まれています。これらのパフォーマンスのメリットは、AMD Ryzen CPUと組み合わせると最も優れています。
メモリの電圧。
高さとは、製品の縦寸法です。
1 つのメモリモジュールの容量。
機能
Intel XMP（Intel Extreme Memory Profile）と AMD EXPO（AMD Extended Profiles for Overclocking）は、BIOSでオプションを有効にするだけで、メモリを簡単にオーバークロックできる機能です。
ECCメモリをサポートする
✖G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
✖PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
誤り訂正符号メモリはデータ腐敗を検知し修正することができます。
それは使用されます、いつになるかはそれです、科学計算のように、腐敗を回避するのに本質的、あるいは、サーバを実行する場合。
一体化ヒートシンクあり
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
✔PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
熱はパフォーマンスに影響を与えて、潜在的な読み込み/書き込み速度を遅くすることがあります。一体化ヒートシンク (またはヒートスプレッダー) はコンポネントを冷えたままにし、最大効率で操作をし続けるのに役立ちます。
RGBライティングがある
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
✔PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB)
RGBライティングを使うと、何百万もの色から選んでパソコンコンポネントの見た目をカスタマイズすることができます。
ベンチマーク
PassMarkの結果（レイテンシー）
31ns
不明。価値を提案して私たちのお手伝いをお願いします。 (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))
PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。レイテンシーテストでは、1バイトのメモリが CPUに転送される速さを測定し、値が低いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。
PassMarkの結果（キャッシュされていない読み取り）
20.9GB/s
不明。価値を提案して私たちのお手伝いをお願いします。 (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))
PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。キャッシュされていない読み取りのテストでは、メモリの大きなブロックを読み取る速度を測定します。値が大きいほど、パフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。
PassMarkの結果（書き込み）
16.9GB/s
不明。価値を提案して私たちのお手伝いをお願いします。 (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))
PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。書き込みテストは、メモリのブロックがどれだけ速く書き込まれるかを測定し、値が高いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。
UserBenchmarkの結果（平均 %）
97.8%
不明。価値を提案して私たちのお手伝いをお願いします。 (PNY XLR8 Gaming REV RGB DDR4-3600 CL18 32GB (2x16GB))
マルチコアスループット、シングルコア ループット、レイテンシーに基づく、UserBenchMarkの平均ベンチマーク結果。出典：UserBenchmark。
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