G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)レビュー：仕様＆価格
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)が平均よりも優れている理由は何ですか？
- 正確なレイテンシー?
8.89 nsvs11.7 ns - TRASタイミング?
39vs58.52 - CAS Latency (CL)?
16vs26.89 - TRCDタイミング?
19vs29.6 - TRPタイミング?
19vs29.61 - PassMarkの結果（レイテンシー）?
31nsvs35.79ns - PassMarkの結果（キャッシュされていない読み取り）?
20.9GB/svs18.99GB/s - PassMarkの結果（書き込み）?
16.9GB/svs15.58GB/s
一番人気の比較対象は？
ユーザーレビュー
性能
正確なレイテンシー
8.89 ns
正確なレイテンシーは、メモリパフォーマンスの良い指標です。これはCASレイテンシー（CL）と転送速度から計算されます。
メモリ速度（テスト速度）
3600
メーカーが提供するメモリ速度。テスト速度とも呼ばれます。注：速度に対応できるCPU/マザーボードが必要で、XMPプロファイルを有効にする必要がある場合もあります。
メモリ速度（SPD）
2133 MHz
メモリのSPD（シリアルプレゼンス検出） 速度。これは、BIOS設定やオーバークロックなどを変更せずに、メモリがデフォルトで実行される速度です。
DDR(ダブルデータレート)メモリはRAMで一番一般的なタイプです。新しいバージョンほど、もっと最大速度をサポートし、さらに省エネです。
メモリのCASレイテンシー (CL) タイミング。
メモリのtRAS（Row Active Time）タイミング。
メモリのtRCD（Row Column Delay) タイミング。
tRPタイミング
19
メモリのtRP（Row Precharge Time）タイミング。
一般情報
外形情報
288-pin DIMM
システムに適したメモリを必ず購入してください。一般的なフォームファクターには、PC用288-pin DIMMとノートパソコン用の260-pin SO-DIMMがあります。
メモリ容量（合計）
2 x 8GB
ひとつのモジュールのサイズとキット内のモジュール数を考慮したメモリの合計容量。
Samsung B-Die搭載
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
Samsung B-Die は、一部のメモリ製品で使用される特定のタイプのダイ (チップ) です。このタイプのメモリは3200MHz以上の速度で作動し、CASレイテンシーも低く（CL 14）保つので、多くの人に好まれています。これらのパフォーマンスのメリットは、AMD Ryzen CPUと組み合わせると最も優れています。
電圧
1.35V
メモリの電圧。
高さ
43 mm
高さとは、製品の縦寸法です。
メモリー容量
8GB
1 つのメモリモジュールの容量。
機能
Intel XMP / AMD EXPO
Intel XMP 2.0
Intel XMP（Intel Extreme Memory Profile）と AMD EXPO（AMD Extended Profiles for Overclocking）は、BIOSでオプションを有効にするだけで、メモリを簡単にオーバークロックできる機能です。
ECCメモリをサポートする
✖G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
誤り訂正符号メモリはデータ腐敗を検知し修正することができます。
それは使用されます、いつになるかはそれです、科学計算のように、腐敗を回避するのに本質的、あるいは、サーバを実行する場合。
一体化ヒートシンクあり
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
熱はパフォーマンスに影響を与えて、潜在的な読み込み/書き込み速度を遅くすることがあります。一体化ヒートシンク (またはヒートスプレッダー) はコンポネントを冷えたままにし、最大効率で操作をし続けるのに役立ちます。
RGBライティングがある
✔G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB)
RGBライティングを使うと、何百万もの色から選んでパソコンコンポネントの見た目をカスタマイズすることができます。
ベンチマーク
PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。レイテンシーテストでは、1バイトのメモリが CPUに転送される速さを測定し、値が低いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。
PassMarkの結果（キャッシュされていない読み取り）
20.9GB/s
PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。キャッシュされていない読み取りのテストでは、メモリの大きなブロックを読み取る速度を測定します。値が大きいほど、パフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。
PassMarkの結果（書き込み）
16.9GB/s
PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。書き込みテストは、メモリのブロックがどれだけ速く書き込まれるかを測定し、値が高いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。
マルチコアスループット、シングルコア ループット、レイテンシーに基づく、UserBenchMarkの平均ベンチマーク結果。出典：UserBenchmark。
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