ベスト10 のメモリ を アイテムから比較
メモリ (1 - 5)
| ベストプライス |
| Team Group Xtreem DDR5-8000 32GB (2x16GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3600 CL16 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Royal Elite DDR4-3600 CL14 16GB (2x8GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3200 CL14 16GB (2x8GB) | Team Group Xtreem DDR5-7600 32GB (2x16GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-4000 CL14 16GB (2x8GB) | Gigabyte Designare DDR4-3200 64GB (2x32GB) | G.Skill Trident Z Neo DDR4-3800 CL14 16GB (2x8GB) | Team Group T-Create Expert DDR5-6000 CL30 32GB (2x16GB) | |
| イメージ |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |
| ベストプライス | ||||||||||
| ベストプライス | ||||||||||
| 性能 | ||||||||||
| 正確なレイテンシー正確なレイテンシーは、メモリパフォーマンスの良い指標です。これはCASレイテンシー（CL）と転送速度から計算されます。 | ||||||||||
| 正確なレイテンシー正確なレイテンシーは、メモリパフォーマンスの良い指標です。これはCASレイテンシー（CL）と転送速度から計算されます。 | 9.5 ns | 8.89 ns | 7 ns | 7.78 ns | 8.75 ns | 9.47 ns | 7 ns | 10 ns | 7.37 ns | 10 ns |
| CAS Latency (CL)メモリのCASレイテンシー (CL) タイミング。 | ||||||||||
| CAS Latency (CL)メモリのCASレイテンシー (CL) タイミング。 | 38 | 16 | 14 | 14 | 14 | 36 | 14 | 16 | 14 | 30 |
| TRASタイミングメモリのtRAS（Row Active Time）タイミング。 | ||||||||||
| TRASタイミングメモリのtRAS（Row Active Time）タイミング。 | 48 | 39 | 35 | 34 | 34 | 54 | 35 | 38 | 36 | 76 |
| TRCDタイミングメモリのtRCD（Row Column Delay) タイミング。 | ||||||||||
| TRCDタイミングメモリのtRCD（Row Column Delay) タイミング。 | 24 | 19 | 15 | 14 | 14 | 36 | 15 | 18 | 16 | 36 |
| TRPタイミングメモリのtRP（Row Precharge Time）タイミング。 | ||||||||||
| TRPタイミングメモリのtRP（Row Precharge Time）タイミング。 | 24 | 19 | 15 | 14 | 14 | 36 | 15 | 18 | 16 | 36 |
| 「性能 」のトータルスコア | ||||||||||
| 「性能 」のトータルスコア | ||||||||||
| 一般情報 | ||||||||||
| 外形情報システムに適したメモリを必ず購入してください。一般的なフォームファクターには、PC用288-pin DIMMとノートパソコン用の260-pin SO-DIMMがあります。 | ||||||||||
| 外形情報システムに適したメモリを必ず購入してください。一般的なフォームファクターには、PC用288-pin DIMMとノートパソコン用の260-pin SO-DIMMがあります。 | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM | 288-pin DIMM |
| メモリ容量（合計）ひとつのモジュールのサイズとキット内のモジュール数を考慮したメモリの合計容量。 | ||||||||||
| メモリ容量（合計）ひとつのモジュールのサイズとキット内のモジュール数を考慮したメモリの合計容量。 | 2 x 16GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 8GB | 2 x 16GB | 2 x 8GB | 2 x 32GB | 2 x 8GB | 2 x 16GB |
| Samsung B-DieSamsung B-Die は、一部のメモリ製品で使用される特定のタイプのダイ (チップ) です。このタイプのメモリは3200MHz以上の速度で作動し、CASレイテンシーも低く（CL 14）保つので、多くの人に好まれています。これらのパフォーマンスのメリットは、AMD Ryzen CPUと組み合わせると最も優れています。 | ||||||||||
| Samsung B-DieSamsung B-Die は、一部のメモリ製品で使用される特定のタイプのダイ (チップ) です。このタイプのメモリは3200MHz以上の速度で作動し、CASレイテンシーも低く（CL 14）保つので、多くの人に好まれています。これらのパフォーマンスのメリットは、AMD Ryzen CPUと組み合わせると最も優れています。 | ✖ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ |
| 電圧メモリの電圧。 | ||||||||||
| 電圧メモリの電圧。 | 1.45V | 1.35V | 1.55V | 1.45V | 1.35V | 1.4V | 1.55V | 1.2V | 1.5V | 1.1V |
| メモリー容量1 つのメモリモジュールの容量。 | ||||||||||
| メモリー容量1 つのメモリモジュールの容量。 | 16GB | 8GB | 8GB | 8GB | 8GB | 16GB | 8GB | 32GB | 8GB | 16GB |
| 「一般情報 」のトータルスコア | ||||||||||
| 「一般情報 」のトータルスコア | ||||||||||
| 機能 | ||||||||||
| Intel XMP / AMD EXPOIntel XMP（Intel Extreme Memory Profile）と AMD EXPO（AMD Extended Profiles for Overclocking）は、BIOSでオプションを有効にするだけで、メモリを簡単にオーバークロックできる機能です。 | ||||||||||
| Intel XMP / AMD EXPOIntel XMP（Intel Extreme Memory Profile）と AMD EXPO（AMD Extended Profiles for Overclocking）は、BIOSでオプションを有効にするだけで、メモリを簡単にオーバークロックできる機能です。 | Intel XMP 3.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 3.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 2.0 | Intel XMP 3.0 |
| ECCメモリをサポートする 誤り訂正符号メモリはデータ腐敗を検知し修正することができます。 それは使用されます、いつになるかはそれです、科学計算のように、腐敗を回避するのに本質的、あるいは、サーバを実行する場合。 | ||||||||||
| ECCメモリをサポートする 誤り訂正符号メモリはデータ腐敗を検知し修正することができます。 それは使用されます、いつになるかはそれです、科学計算のように、腐敗を回避するのに本質的、あるいは、サーバを実行する場合。 | ✔ | ✖ | ✖ | ✖ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ |
| 一体化ヒートシンク熱はパフォーマンスに影響を与えて、潜在的な読み込み/書き込み速度を遅くすることがあります。一体化ヒートシンク (またはヒートスプレッダー) はコンポネントを冷えたままにし、最大効率で操作をし続けるのに役立ちます。 | ||||||||||
| 一体化ヒートシンク熱はパフォーマンスに影響を与えて、潜在的な読み込み/書き込み速度を遅くすることがあります。一体化ヒートシンク (またはヒートスプレッダー) はコンポネントを冷えたままにし、最大効率で操作をし続けるのに役立ちます。 | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ |
| RGBライティングRGBライティングを使うと、何百万もの色から選んでパソコンコンポネントの見た目をカスタマイズすることができます。 | ||||||||||
| RGBライティングRGBライティングを使うと、何百万もの色から選んでパソコンコンポネントの見た目をカスタマイズすることができます。 | ✖ | ✔ | ✔ | ✔ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ | ✔ | ✖ |
| 「機能 」のトータルスコア | ||||||||||
| 「機能 」のトータルスコア | ||||||||||
| ベンチマーク | ||||||||||
| PassMarkの結果（レイテンシー）PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。レイテンシーテストでは、1バイトのメモリが CPUに転送される速さを測定し、値が低いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。 | ||||||||||
| PassMarkの結果（レイテンシー）PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。レイテンシーテストでは、1バイトのメモリが CPUに転送される速さを測定し、値が低いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。 | N.A. | 31ns | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| PassMarkの結果（キャッシュされていない読み取り）PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。キャッシュされていない読み取りのテストでは、メモリの大きなブロックを読み取る速度を測定します。値が大きいほど、パフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。 | ||||||||||
| PassMarkの結果（キャッシュされていない読み取り）PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。キャッシュされていない読み取りのテストでは、メモリの大きなブロックを読み取る速度を測定します。値が大きいほど、パフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。 | N.A. | 20.9GB/s | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| PassMarkの結果（書き込み）PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。書き込みテストは、メモリのブロックがどれだけ速く書き込まれるかを測定し、値が高いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。 | ||||||||||
| PassMarkの結果（書き込み）PassMarkベンチマークは、メモリのパフォーマンスに関連するいくつかの要因をテストします。書き込みテストは、メモリのブロックがどれだけ速く書き込まれるかを測定し、値が高いほどパフォーマンスが高速であることを示します。出典：PassMark。 | N.A. | 16.9GB/s | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| UserBenchmarkの結果（平均 %）マルチコアスループット、シングルコア ループット、レイテンシーに基づく、UserBenchMarkの平均ベンチマーク結果。出典：UserBenchmark。 | ||||||||||
| UserBenchmarkの結果（平均 %）マルチコアスループット、シングルコア ループット、レイテンシーに基づく、UserBenchMarkの平均ベンチマーク結果。出典：UserBenchmark。 | N.A. | 97.8% | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. | N.A. |
| 「ベンチマーク 」のトータルスコア | ||||||||||
| 「ベンチマーク 」のトータルスコア | ||||||||||
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